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日本开发出使用氧化镓基板的GaN类LED元件

Date:2011-04-05

        据外媒报导,日本田村制作所与光波公司,开发出了使用氧化镓基板的GaN类LED元件,预计该元件及氧化镓(Ga2O3)基板可在2011年度末上市。

  该LED元件与以前使用蓝宝石基板的LED元件相比,每单位面积可流过10倍以上的电流。将用于前照灯及投影仪等需要高亮度的用途。另外,氧化镓基板通过简单的溶液生长即可形成,因此是一种可实现低成本化的技术,还能用于照明等用途。

  氧化镓基板具有高导电性,使用该基板的GaN类LED元件可在表、里两面设置电极。田村制作所与光波公司此次开发了可大幅削减设于氧化镓基板和GaN类外延层之间的缓冲层电阻技术,并且通过确立在氧化镓基板上形成低电阻n型欧姆接触电极的技术,实现了可流过大电流的LED元件。

  虽然有观点指出氧化镓基板容易破裂,但据称此次通过调整氧化镓基板的面方向解决了这一问题。

 

(来源于技术在线)

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